STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET F7
- RS-varenummer:
- 168-8960
- Producentens varenummer:
- STP140N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 480,20
(ekskl. moms)
Kr. 600,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | Kr. 9,604 | Kr. 480,20 |
| 250 - 450 | Kr. 9,363 | Kr. 468,15 |
| 500 + | Kr. 9,105 | Kr. 455,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-8960
- Producentens varenummer:
- STP140N6F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 80A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STripFET F7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 55nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 158W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Højde | 9.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 80A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STripFET F7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 55nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 158W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Højde 9.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal STripFET™ F7-serien, STMicroelectronics
STMicroelectronics STripFET™ F7-serien af lavspændings-MOSFET'er har lavere on-state-modstand med reduceret intern kapacitet og gate-opladning for hurtigere og mere effektiv kobling.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 100 A 60 V Forbedring TO-220, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 120 V Forbedring TO-220, STripFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 140 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 100 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-220, STripFET II
- STMicroelectronics Type N-Kanal 90 A 80 V Forbedring TO-220, STripFET H7