Nexperia 2 N-Kanal Dobbelt, Grav MOSFET, 180 mA 30 V Forbedring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- RS-varenummer:
- 170-5396P
- Producentens varenummer:
- NX3020NAKS,115
- Brand:
- Nexperia
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 250 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 125,75
(ekskl. moms)
Kr. 157,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 50 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 250 - 450 | Kr. 0,503 |
| 500 - 1200 | Kr. 0,477 |
| 1250 - 2450 | Kr. 0,358 |
| 2500 + | Kr. 0,34 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-5396P
- Producentens varenummer:
- NX3020NAKS,115
- Brand:
- Nexperia
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Nexperia | |
| Produkttype | Grav MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | NX3020NAKS | |
| Emballagetype | TSSOP | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.26nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Nexperia | ||
Produkttype Grav MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie NX3020NAKS | ||
Emballagetype TSSOP | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.26nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Bredde 1.35mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Robust forbindelse mellem asynkrone og synkrone systemer. Flip-flops er grundlæggende storageelementer i digital elektronik. Ved kun at tillade udgangen at skifte på en kantovergang, giver flip-flops et robust interface mellem asynkrone og synkrone systemer. Med et udvalg af enten positive eller negative kantudløste muligheder giver de øget fleksibilitet.
Dobbelt N-kanals Field-Effect Transistor (FET) med optimeret tilstand i et meget lille SOT363 (SC-88) overflademonteret (SMD) plasthus med Trench MOSFET-teknologi.
Meget hurtigt skift
Trench MOSFET-teknologi
ESD-beskyttelse
Lav tærskelspænding
Anvendelsesområder
Relædriver
Højhastigheds linjedriver
Lavside belastningsafbryder
Koblingskredsløb