DiodesZetex 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, MOSFET, 8.2 A 30 V Forbedring, 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 170-9039
- Producentens varenummer:
- DMC3026LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 3.635,00
(ekskl. moms)
Kr. 4.545,00
(inkl. moms)
Tilføj 2500 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 31. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 1,454 | Kr. 3.635,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 170-9039
- Producentens varenummer:
- DMC3026LSD-13
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type P, Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 8.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 29mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Min. driftstemperatur | 150°C | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.7V | |
| Transistorkonfiguration | Isoleret | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 3.95 mm | |
| Standarder/godkendelser | MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | |
| Højde | 1.5mm | |
| Længde | 4.95mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type P, Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 8.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype SOIC | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 29mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Min. driftstemperatur 150°C | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.7V | ||
Transistorkonfiguration Isoleret | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 3.95 mm | ||
Standarder/godkendelser MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020 | ||
Højde 1.5mm | ||
Længde 4.95mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Dobbelt N/P-kanal MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET transistorer, Diodes Inc.
Relaterede links
- DiodesZetex 2 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 160 mA 12 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 11.4 A 40 V Forbedring SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 10.7 A 12 V Forbedring SOIC, DMP65H AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 4.5 A 60 V Forbedring SOIC, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Type P-Kanal 12 A 30 V Forbedring SOIC, DMG AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Type N MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101
- DiodesZetex 4 Type P MOSFET 8 Ben, SOIC AEC-Q101