Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD053N08N3 G

RS-varenummer:: 171-1937
Producentens varenummer:: IPD053N08N3GATMA1
Brand:: Infineon

Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Forbedring, 5 Ben, TO-252, IPD053N08N3 G

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 73,16

(ekskl. moms)

Kr. 91,45

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

På lager

8.710 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
10 +	Kr. 7,316	Kr. 73,16

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 171-1937
Producentens varenummer:: IPD053N08N3GATMA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	90A
	Drain source spænding maks. Vds	80V
	Serie	IPD053N08N3 G
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	5
	Drain source modstand maks. Rds	9.5mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	150W
	Portkildespænding maks.	20 V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	52nC
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Bredde	7.36 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Længde	6.73mm
	Højde	2.41mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A
	Drain source spænding maks. Vds 80V
	Serie IPD053N08N3 G
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 5
	Drain source modstand maks. Rds 9.5mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 150W
	Portkildespænding maks. 20 V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 52nC
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Bredde 7.36 mm
	Standarder/godkendelser No
	Længde 6.73mm
	Højde 2.41mm
	Bilindustristandarder Nej

IPD053N08N3 Datasheet

RoHS Status: Ikke relevant

Infineon MOSFET

Infineon TO-252-3 overflademonteret N-kanal MOSFET er et nyt aldersprodukt med en modstand fra en drænkilde på 5,3 Mohm ved en gate-kildespænding på 10 V. MOSFET har kontinuerlig drænstrøm på 90 A. Den har en maksimal gate-kildespænding på 20 V og en drænkildespænding på 80 V. Den har et maksimalt effekttab på 150 W. MOSFET har en minimum og en maksimal drivspænding på henholdsvis 6 V og 10 V. Den er optimeret til lavere skift og ledetab. MOSFET'en håndterer de mest udfordrende opgaver og giver fuld fleksibilitet på begrænset plads. Den er designet til at opfylde og overgå kravene til energieffektivitet og effekttæthed i den skærpede næste generations spændingsreguleringsstandarder inden for computeranvendelse. MOSFET giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele

• dobbeltsidet køling

• fremragende gate-opladning x RDS(ON)-produkt (FOM)

• blyfri (Pb) belægning

• lav parasitisk selvinduktion

• lav profil (<0, 7 mm)

• driftstemperaturområde mellem -55 °C og 175 °C.

• optimeret teknologi til DC-DC-konvertere

• fremragende termisk modstand

Anvendelsesområder

• AC-DC

• adapter

• DC-DC

• LED

• Motorstyring

• pc-strøm

• Server-strømforsyninger

• SMPS

• Sol

• telekommunikation

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC61249-2-21

• JEDEC