Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V, 8 ben, TDSON, OptiMOS™ BSC014N04LSATMA1

De nye 40 V og 60 V produktfamilier har ikke kun branchens laveste R DS(on), men også en perfekt switching-adfærd til hurtigt skiftende anvendelser. 15 % lavere R DS(on) og 31 % lavere Figure of Merit (R DS(on) x Q g) har sammenlignet med alternative enheder muliggjort avanceret papirtynd teknologi. De nye 40 V og 60 V produktfamilier har ikke kun branchens laveste R DS(on), men også en perfekt switching-adfærd til hurtigt skiftende anvendelser. 15 % lavere R DS(on) og 31 % lavere Figure of Merit (R DS(on) x Q g) har sammenlignet med alternative enheder muliggjort avanceret papirtynd teknologi

Optimeret til synkron ensretning
15 % lavere R DS(on) end alternative enheder
31 % forbedring af FOM over lignende enheder
Integreret Schottky-lignende diode
Halogenfri
Fordele:
Højeste systemeffektivitet
Mindre parallelisering nødvendig
Forøget effekttæthed
Systemomkostningsbesparelse
Meget lav udgangsspændingsoversving
Anvendelsesområder:
Synkron ensretning
Mikroinverter til solenergi
Isolerede DC/DC-konvertere
Motorstyring
Or-ing kontakter