Infineon N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- RS-varenummer:
- 171-1961P
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 366,50
(ekskl. moms)
Kr. 458,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 4.960 enhed(er) afsendes fra 02. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 90 | Kr. 7,33 |
| 100 - 240 | Kr. 6,874 |
| 250 - 490 | Kr. 6,425 |
| 500 + | Kr. 5,977 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-1961P
- Producentens varenummer:
- BSC014N04LSATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Emballagetype | TDSON | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 61nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 96W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | J-STD20 and JESD22 | |
| Bredde | 6.15mm | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 5.15mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Emballagetype TDSON | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 61nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 96W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser J-STD20 and JESD22 | ||
Bredde 6.15mm | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 5.15mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon OptiMOS seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 100 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - BSC014N04LSATMA1
Denne MOSFET er en højstrøms N-kanals koblingstransistor, der er designet til overflademonterede strømforsyningsanvendelser. Den fungerer over et bredt temperaturområde, understøtter betydelige kontinuerlige afløbsstrømme og er beregnet til kompakt strømkonvertering og højeffektive skifteopgaver i industrielle elektroniske systemer.
Egenskaber og fordele:
• 1.4 mΩ lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af høj strøm
• 40 V drain-source-klassificering muliggør midspændingstrin
• 61 nC typisk gate-ladning understøtter hurtig skifteydeevne
• 96 W maks. effekttab muliggør betydelig termisk belastning
• 20 V maksimal gate-source-spænding rummer robust gate-drev
• 100 A kontinuerlig afløbsstrøm muliggør håndtering af høj strøm
• 40 V drain-source-klassificering muliggør midspændingstrin
• 61 nC typisk gate-ladning understøtter hurtig skifteydeevne
• 96 W maks. effekttab muliggør betydelig termisk belastning
• 20 V maksimal gate-source-spænding rummer robust gate-drev
Anvendelser
• Velegnet til primære og sekundære trin i DC-DC-konvertere
• Ideel til kraftige strømskinner i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med synkrone buck-konvertere for effektiv omskiftning
• Kan bruges til halvbromoduler til motordriver
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering
• Ideel til kraftige strømskinner i industrielt udstyr
• Anvendes sammen med synkrone buck-konvertere for effektiv omskiftning
• Kan bruges til halvbromoduler til motordriver
• Velegnet til kompakte strømforsyningsenheder til overflademontering
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?
Den leveres i en 8-benet TDSON-pakke og er beregnet til overflademontering på et kort.
Hvordan klarer den udvidede temperaturområder?
Den er normeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket muliggør brug i krævende termiske miljøer.
Hvilke portdrev-begrænsninger skal designere overholde?
Enheden tillader en maksimal gate-source-spænding på 20 V, så gate-drivere skal forblive inden for denne grænse.
Hvilken elektrisk polaritet og kanaladfærd følger den?
Det er en N-kanal-enhed med forbedringstilstand og kræver positivt gate-drev til at føre.