Toshiba Type P-Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 51,76

(ekskl. moms)

Kr. 64,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.385 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 10,352

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2485P
Producentens varenummer:
TJ60S04M3L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Kanaltype

Type P

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

9.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

10 V

Effektafsættelse maks. Pd

90W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

125nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bredde

7 mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Undtaget

COO (Country of Origin):
JP
Anvendelsesområder

Til brug i biler

Motordrivere

DC/DC-konvertere

Skiftespændingsregulatorer

Funktioner

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7,0 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = -10 μA (maks.) (VDS = -40 V)

Optimeret tilstand: Vth = -2,0 til -3,0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Relaterede links