Toshiba N-Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 296,60

(ekskl. moms)

Kr. 370,75

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 3.490 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
25 - 95Kr. 11,864
100 - 995Kr. 10,382
1000 +Kr. 9,216

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
171-2499P
Producentens varenummer:
TK100S04N1L
Brand:
Toshiba
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Toshiba

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

40V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.5mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

76nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

180W

Portkildespænding maks.

20V

Gennemgangsspænding Vf

-1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

7mm

Længde

6.5mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):
JP
Anvendelsesområder

Til brug i biler

Skiftespændingsregulatorer

Motordrivere

Funktioner

Lav drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1,9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Lav lækstrøm: IDSS = 10 μA (maks.) (VDS = 40 V)

Optimeret tilstand: Vth = 1,5 til 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,5 mA)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.