ROHM P-Kanal, MOSFET, 2 A 12 V, 3 ben, SC-96, SOT-346T, TSMT, RQ5A020ZP RQ5A020ZPTL
- RS-varenummer:
- 171-9891P
- Producentens varenummer:
- RQ5A020ZPTL
- Brand:
- ROHM
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 500 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 1.232,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.540,50
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 500 - 900 | Kr. 2,465 |
| 1000 - 1400 | Kr. 2,239 |
| 1500 - 1900 | Kr. 2,054 |
| 2000 + | Kr. 1,956 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 171-9891P
- Producentens varenummer:
- RQ5A020ZPTL
- Brand:
- ROHM
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | ROHM | |
| Kanaltype | P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. | 2 A | |
| Drain source spænding maks. | 12 V | |
| Serie | RQ5A020ZP | |
| Kapslingstype | TSMT-3 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. | 400 mΩ | |
| Kanalform | Enhancement | |
| Maks. tærskelspænding for port | 1V | |
| Mindste tærskelspænding for port | 0.3V | |
| Effektafsættelse maks. | 1 W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Gate source spænding maks. | ±10 V | |
| Gate-ladning ved Vgs typisk | 6,5 nC ved 4,5 | |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C | |
| Længde | 3mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bredde | 1.8mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Driftstemperatur min. | -55 °C | |
| Gennemgangsspænding for diode | 1.2V | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand ROHM | ||
Kanaltype P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. 2 A | ||
Drain source spænding maks. 12 V | ||
Serie RQ5A020ZP | ||
Kapslingstype TSMT-3 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. 400 mΩ | ||
Kanalform Enhancement | ||
Maks. tærskelspænding for port 1V | ||
Mindste tærskelspænding for port 0.3V | ||
Effektafsættelse maks. 1 W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Gate source spænding maks. ±10 V | ||
Gate-ladning ved Vgs typisk 6,5 nC ved 4,5 | ||
Driftstemperatur maks. +150 °C | ||
Længde 3mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bredde 1.8mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Driftstemperatur min. -55 °C | ||
Gennemgangsspænding for diode 1.2V | ||
RQ5A020ZP er en MOSFET med G-S-beskyttelsesdiode og lav omskiftning ved tændt, velegnet til belastningsomskifter.
Lav modstand ved tændt.
Indbygget G-S-beskyttelsesdiode.
Lille hus til overflademontering (TSMT3).
Blyfri forgyldning
Indbygget G-S-beskyttelsesdiode.
Lille hus til overflademontering (TSMT3).
Blyfri forgyldning