onsemi 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 84 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C462NL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 172-3359
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C462NLWFT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 25 enheder)*
Kr. 388,60
(ekskl. moms)
Kr. 485,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 16. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | Kr. 15,544 | Kr. 388,60 |
| 100 - 225 | Kr. 13,395 | Kr. 334,88 |
| 250 + | Kr. 11,618 | Kr. 290,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-3359
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C462NLWFT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 84A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Serie | NVMFD5C462NL | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 7.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 860mV | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 23nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 50W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Højde | 1.05mm | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 84A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Serie NVMFD5C462NL | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 7.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 860mV | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 23nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 50W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Højde 1.05mm | ||
Bredde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.
Lille format (5 x 6 mm)
Kompakt design
Lav rDS(on)
Minimer ledningsevnetab
Lav QG og kapacitet
Minimer drivertab
NVMFD5C446NLWF - Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr
Forbedret optisk inspektion
PPAP-kapacitet
Anvendelsesområder
Solenoide-driver
Lavside/højside driver
Motorrum-kontrollere
Antilock-bremsesystemer
Relaterede links
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 84 A 40 V Forbedring DFN, NVMFD5C462NL AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 26 A 60 V Forbedring DFN, NVMFD5C680NL AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 68 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 29 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 127 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 27 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 70 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 N-Kanal Dobbelt 25 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101