onsemi 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 145 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN, NVMFD5C446NL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 172-3377
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C446NLT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 193,96
(ekskl. moms)
Kr. 242,45
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 580 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 19,396 | Kr. 193,96 |
| 100 - 240 | Kr. 16,725 | Kr. 167,25 |
| 250 + | Kr. 14,496 | Kr. 144,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-3377
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C446NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 145A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NVMFD5C446NL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Længde | 6.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 145A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NVMFD5C446NL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 5.1mm | ||
Længde 6.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Bilstrøm MOSFET i et DPAK-hus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.
Lav modstand ved tændt
Minimalt ledningstab
Håndterer høje strømstyrker
Robust belastningsydeevne
Spændingsoverbelastningsbeskyttelse
Anvendelsesområder
Lavsidet driver
Højside driver
Motordrev
Bilkraftoverføring
Bil-HVAC-motorer
ABS-trykpumper