onsemi N-Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, NTH027N65S3F
- RS-varenummer:
- 172-3437
- Producentens varenummer:
- NTH027N65S3F-F155
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed, i en pakke med 1)*
Kr. 170,24
(ekskl. moms)
Kr. 212,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 18. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Pakke(r) | Pr pakke |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 170,24 |
| 10 - 99 | Kr. 146,76 |
| 100 + | Kr. 127,16 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-3437
- Producentens varenummer:
- NTH027N65S3F-F155
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | NTH027N65S3F | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 259nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 595W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.87mm | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie NTH027N65S3F | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 259nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 595W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.87mm | ||
Højde 20.82mm | ||
Bredde 4.82mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne PIN-diode er designet til at muliggøre kompakte og effektive design. To PIN-dioder er indbygget i ét SC-70-hus. Brug af dobbelte PIN-dioder kan reducere både systemomkostninger og plads på kortet. Denne PIN-diode har PPAP-kapacitet til brug i biler.
PPAP-kapacitet
Velegnet til brug i biler
Blyfri og halogenfri
Miljømæssige overvejelser
Serieforbindelse af 2 elementer i et lille hus
Forbedrer monteringsevne markant.
MCP3-hus er ben-kompatibelt med SC-70
Udskiftning fra SC-70 er mulig
Lille interterminal kapacitet (C = 0,23 pF typ.)
Velegnet til niveaudetektor
Lille fremadrettet seriemodstand (rs = 4,5 Ω maks.)
Velegnet til UHF-bånd
Styring af automatisk forstærkning til brug i bilradioantenne
Bilantenne
Bilradiotuner