onsemi Enkelt, SiC-strømmodul, 28 A, 3 Ben, TO-220 Nej FFSP3065A

RS-varenummer:: 172-8971
Producentens varenummer:: FFSP3065A
Brand:: onsemi

onsemi Enkelt, SiC-strømmodul, 28 A, 3 Ben, TO-220 Nej FFSP3065A

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 125,59

(ekskl. moms)

Kr. 156,988

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 198 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
2 - 8	Kr. 62,795	Kr. 125,59
10 - 98	Kr. 54,155	Kr. 108,31
100 - 248	Kr. 50,49	Kr. 100,98
250 - 498	Kr. 49,22	Kr. 98,44
500 +	Kr. 47,985	Kr. 95,97

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 172-8971
Producentens varenummer:: FFSP3065A
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Produkttype	SiC-strømmodul
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	28A
	Emballagetype	TO-220
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Effektafsættelse maks. Pd	240W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	2.4V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Længde	10.67mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bredde	4.8 mm
	Højde	16.51mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Produkttype SiC-strømmodul
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 28A
	Emballagetype TO-220
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Effektafsættelse maks. Pd 240W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 2.4V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Længde 10.67mm
	Standarder/godkendelser No
	Bredde 4.8 mm
	Højde 16.51mm
	Bilindustristandarder Nej

Siliciumkarbid (SiC) Schottky-diode – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L
Siliciumkarbid (SiC) Schottky-diode – EliteSiC, 30 A, 650 V, D1, TO-220-2L

On Semiconductor TO-220-2L siliciumcarbid (SiC) Schottky-dioden er det nyeste produkt, der anvender en helt ny teknologi, der giver overlegen switching-ydelse og højere pålidelighed for silicium. Dioden har mange Advanced-funktioner som temperaturuafhængige switching-egenskaber og fremragende termisk ydelse, der uden tvivl gør den til den næste generations effekthalvleder. Denne diode giver mange fordele, der omfatter den højeste effektivitet, faster driftsfrekvens, øget strømtæthed, reduceret EMI og reduceret systemstørrelse og -omkostninger.

Egenskaber og fordele

• Avalanche klassificeret til 180mJ

• Sig af parallelkobling

• Høj strømkapacitet

• Ingen genskabelse baglæns/ingen gendannelse fremad

• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 175°C.

• Positiv temperaturkoefficient

Anvendelsesområder

• EV-oplader

• Allround

• Industriel kraft

• PFC

• Strømkoblingskredsløb

• SMPS

• Solomvender

• Nødstrømsforsyninger (UPS)

• Svejsning

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007