onsemi N-Kanal, MOSFET, 157 A 80 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NTMFS6H801N
- RS-varenummer:
- 172-8986
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H801NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 107,86
(ekskl. moms)
Kr. 134,83
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.275 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 21,572 | Kr. 107,86 |
| 50 - 95 | Kr. 18,596 | Kr. 92,98 |
| 100 - 495 | Kr. 16,142 | Kr. 80,71 |
| 500 - 995 | Kr. 14,168 | Kr. 70,84 |
| 1000 + | Kr. 12,896 | Kr. 64,48 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 172-8986
- Producentens varenummer:
- NTMFS6H801NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 157A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NTMFS6H801N | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 166W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 6.1mm | |
| Bredde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 157A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NTMFS6H801N | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 166W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 6.1mm | ||
Bredde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Kommerciel Power MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og høj termisk ydelse.
Lille format (5 x 6 mm)
Kompakt design
Lav RDS(on)
Minimere konduktive tab
Lav QG og kapacitet
Minimer drivertab
Anvendelsesområder
Switch-mode strømforsyninger
Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)
48 V-systemer
Motorstyring
Belastningsomskifter
DC/DC konverter
Synkron ensretter