Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	ROHM
	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	20 A
	Drain source spænding maks.	600 V
	Kapslingstype	TO-3PF
	Serie	R6020ENZ
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks.	190 mΩ
	Kanalform	Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port	4V
	Mindste tærskelspænding for port	2V
	Effektafsættelse maks.	120 W
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Gate source spænding maks.	±20 V
	Antal elementer per chip	1
	Bredde	5.7mm
	Gate-ladning ved Vgs typisk	60 nC ved 10 V
	Længde	15.7mm
	Driftstemperatur maks.	+150 °C
	Højde	26.7mm
	Gennemgangsspænding for diode	1.5V

	Vælg alle
	Brand ROHM
	Kanaltype N
	Drain-strøm kontinuerlig maks. 20 A
	Drain source spænding maks. 600 V
	Kapslingstype TO-3PF
	Serie R6020ENZ
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. 190 mΩ
	Kanalform Enhancement
	Maks. tærskelspænding for port 4V
	Mindste tærskelspænding for port 2V
	Effektafsættelse maks. 120 W
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Gate source spænding maks. ±20 V
	Antal elementer per chip 1
	Bredde 5.7mm
	Gate-ladning ved Vgs typisk 60 nC ved 10 V
	Længde 15.7mm
	Driftstemperatur maks. +150 °C
	Højde 26.7mm
	Gennemgangsspænding for diode 1.5V

Datasheet

RoHS Status: Ikke relevant

COO (Country of Origin):: TH

Power MOSFET'er er fremstillet som enheder med lav modstand ved tændt af mikro-procesteknologier og er nyttige til et bredt udvalg af anvendelser. Det brede produktsortiment dækker kompakte typer, højeffekts-typer og komplekse typer for at opfylde forskellige behov på markedet.

Lav modstand ved tændt.
Hurtig koblingshastighed.
Gate-source-spænding (VGSS) garanteret til ±20V.
Drivkredsløb kan være enkle.
Parallel brug er let.
Blyfri forgyldning

ROHM N-Kanal, MOSFET, 20 A 600 V, 3 ben, TO-3PF, R6020ENZ R6020ENZC8

Relaterede links