Microchip N-Kanal, MOSFET, 350 mA 90 V, 3 ben, TO-39, 2N6661 2N6661

Microchip Technology N-channel MOSFET er et nyt aldersprodukt med en drænkildespænding på 90 V og en maksimal gate-source-spænding på 20 V. Den har en modstand på 4 ohm ved en gate-source-spænding på 10 V. Den har konstant drænstrøm på 350 mA og maksimal effekttab på 6,25 W. Min. og maks. drivspænding for dette MOSFET er henholdsvis 5 V og 10 V. MOSFET er en forstærkningstilstand (normalt slukket) MOSFET, der anvender en vertikal DMOS-struktur og en gennemprøvet siliciumgate-produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne anordning er en vaesentlig egenskab ved alle MOS-konstruktioner og er fri for termisk start og termisk induceret sekundaer nedbrydning. Denne vertikale DMOS FET er optimeret til lavere koblings- og ledningstab. MOSFET tilbyder fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

• Sig af parallelkobling
• Fremragende termisk stabilitet
• Frie fra sekundær nedbrydning
• Høj indgangsimpedans og høj forstærkning
• Integreret kildedrændiode
• Lav CISS og hurtige omskiftningshastigheder
• Krav til lavt effektdrev
• Driftstemperaturområdet ligger mellem -55°C og 150°C.

• Forstærkere
• Konvertere
• Drivere: Relæer, hamre, magnetventiler, lamper, minder, displays, bipolære transistorer osv.
• Motorstyringer
• Strømforsyningskredsløb
• Switche

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007