Microchip Type N-Kanal, MOSFET, 260 mA 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-243, TN2540
- RS-varenummer:
- 177-9854P
- Producentens varenummer:
- TN2540N8-G
- Brand:
- Microchip
Indhold 10 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 94,78
(ekskl. moms)
Kr. 118,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 + | Kr. 9,478 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9854P
- Producentens varenummer:
- TN2540N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 260mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Emballagetype | TO-243 | |
| Serie | TN2540 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 260mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Emballagetype TO-243 | ||
Serie TN2540 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Lav tærskel (2,0 V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (125 pF maks.)
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm