Microchip Type P-Kanal, MOSFET, 125 mA 400 V Forbedring, 3 Ben, TO-243, TP2540
- RS-varenummer:
- 177-9867P
- Producentens varenummer:
- TP2540N8-G
- Brand:
- Microchip
Få rabat ved storkøb
Tilføj 100 flere for at gemme Kr. 49,20
Se mængderabatterIndhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 318,25
(ekskl. moms)
Kr. 397,75
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.690 enhed(er) afsendes fra 09. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 25 - 95 | Kr. 12,73 | - |
| 100 + | Kr. 12,238 | Kr. 49,20 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 177-9867P
- Producentens varenummer:
- TP2540N8-G
- Brand:
- Microchip
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Microchip | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 125mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 400V | |
| Serie | TP2540 | |
| Emballagetype | TO-243 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 30Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.6W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 4.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 2.6mm | |
| Højde | 1.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Microchip | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 125mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 400V | ||
Serie TP2540 | ||
Emballagetype TO-243 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 30Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.6W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 4.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 2.6mm | ||
Højde 1.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Transistoren med lav tærskel og optimeret tilstand (normalt off) benytter en lodret DMOS-struktur og velafprøvet silicium-gate produktionsproces. Denne kombination producerer en enhed med effekthåndteringsfunktionerne for bipolære transistorer med høj indgangsimpedans og positiv temperaturkoefficient integreret i MOS-enheder. Denne enhed, der har karakteristik af alle MOS-strukturer, er fri for termisk runaway og termisk induceret sekundært nedbrud. Vertikale DMOS FET’er er ideelt egnet til en bred vifte af switching- og forstærkningsopgaver, hvor meget lav tærskelspænding, høj gennemslagsspænding, høj indgangsimpedans, lav indgangskapacitet og hurtige skiftehastigheder ønskes.
Lav tærskel (-2,4V maks.)
Høj indgangsimpedans
Lav indgangskapacitet (60 pF typisk)
Hurtig omkoblingshastighed
Lav modstand ved tændt
Fri for sekundære nedbrud
Lav indgangs- og udgangslækstrøm