onsemi 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 42 A 60 V Forbedring, 8 Ben, DFN
- RS-varenummer:
- 178-4314
- Producentens varenummer:
- NTMFD5C674NLT1G
- Brand:
- onsemi
Indhold (1 rulle af 1500 enheder)*
Kr. 6.144,00
(ekskl. moms)
Kr. 7.680,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1500 + | Kr. 4,096 | Kr. 6.144,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4314
- Producentens varenummer:
- NTMFD5C674NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 42A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 14.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 37W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.7nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Længde | 5.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 42A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 14.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 37W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.7nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1mm | ||
Længde 5.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Industriel Power MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og høj termisk ydelse.
Lav aktiv modstand
Håndterer høje strømstyrker
Lille format (5 x 6 mm)
Fordele
Minimalt ledningstab
Robust belastningsydeevne
Kompakt design
Anvendelsesområder
Motorstyring
Synkron DC til DC-regulator
Strømkontakter (højside-driver, lavside-driver, H-broer osv.)
Batteristyring og beskyttelse
Slutprodukter
Batteripakker
Strømforsyninger
Roterende droner
El-værktøj
PoE (Power over Ethernet, strøm gennem Ethernet)