onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 27 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101 NVMFD5C478NT1G
- RS-varenummer:
- 178-4488
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C478NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 90,36
(ekskl. moms)
Kr. 112,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 25. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 9,036 | Kr. 90,36 |
| 100 - 240 | Kr. 7,794 | Kr. 77,94 |
| 250 - 490 | Kr. 6,762 | Kr. 67,62 |
| 500 - 990 | Kr. 5,939 | Kr. 59,39 |
| 1000 + | Kr. 5,401 | Kr. 54,01 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4488
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C478NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.84V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | 175°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | -55°C | |
| Bredde | 6.1 mm | |
| Længde | 5.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.84V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur 175°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. -55°C | ||
Bredde 6.1 mm | ||
Længde 5.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm flat blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Vanddispergerbar flanke kan leveres som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. Velegnet til brug i biler.
Funktioner
Lav aktiv modstand
Håndterer høje strømstyrker
PPAP-kapacitet
NVMFD5C478NWF - produkt med vanddispergerbare flanker
Fordele
Minimalt ledningstab
Robust belastningsydeevne
velegnet til brug i biler
Forbedret optisk inspektion
Anvendelsesområder
Solenoide-driver
Lavside/højside driver
Slutprodukter
Motorrum-kontrollere
Antilock-bremsesystemer
Relaterede links
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 27 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 127 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 68 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 25 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 74 A 80 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 70 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 29 A 40 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi 2 Type N-Kanal Dobbelt 68 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101 NVMFD5C668NLT1G