onsemi 2 N-Kanal Dobbelt, Effekt MOSFET, 27 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-4488P
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C478NT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (100 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 856,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.070,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 06. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 8,565 |
| 250 - 490 | Kr. 7,435 |
| 500 - 990 | Kr. 6,538 |
| 1000 + | Kr. 5,939 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-4488P
- Producentens varenummer:
- NVMFD5C478NT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 27A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 17mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 23W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.3nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.84V | |
| Driftstemperatur maks. | +175°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Længde | 5.1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.1mm | |
| Højde | 1.05mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 27A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 17mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 23W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.3nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.84V | ||
Driftstemperatur maks. +175°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Længde 5.1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.1mm | ||
Højde 1.05mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm flat blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Vanddispergerbar flanke kan leveres som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. Velegnet til brug i biler.
Funktioner
Lav aktiv modstand
Håndterer høje strømstyrker
PPAP-kapacitet
NVMFD5C478NWF - produkt med vanddispergerbare flanker
Fordele
Minimalt ledningstab
Robust belastningsydeevne
velegnet til brug i biler
Forbedret optisk inspektion
Anvendelsesområder
Solenoide-driver
Lavside/højside driver
Slutprodukter
Motorrum-kontrollere
Antilock-bremsesystemer