onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FCP

RS-varenummer:: 178-4662
Producentens varenummer:: FCP125N65S3R0
Brand:: onsemi

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FCP

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 134,64

(ekskl. moms)

Kr. 168,30

(inkl. moms)

Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder	Per stk.	Pr pakke*
5 +	Kr. 26,928	Kr. 134,64

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-4662
Producentens varenummer:: FCP125N65S3R0
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	24A
	Drain source spænding maks. Vds	650V
	Emballagetype	TO-220
	Serie	FCP
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	125mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd	181W
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	46nC
	Portkildespænding maks.	30 V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Længde	10.67mm
	Højde	16.3mm
	Bredde	4.7 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24A
	Drain source spænding maks. Vds 650V
	Emballagetype TO-220
	Serie FCP
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 125mΩ
	Kanalform Forbedring
	Effektafsættelse maks. Pd 181W
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC
	Portkildespænding maks. 30 V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Længde 10.67mm
	Højde 16.3mm
	Bredde 4.7 mm
	Standarder/godkendelser No
	Bilindustristandarder Nej

COO (Country of Origin):: CN

SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Dermed medvirker SUPERFET III MOSFET Easy drive til at håndtere EMI-problemer og giver mulighed for nemmere designimplementering.

700 V ved T_J = 150 °C

Lavt effektiv udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 439 pF)

Meget lav portopladning (typ. Qg = 46 nC)

Optimeret kapacitet

Typ. RDS(on) = 105 mΩ

Indvendig portmodstand: 0,5 Ω

Fordele:

Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur

Tabsfattigt skift

Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger

Anvendelsesområder:

Databehandling

Forbrugerprodukter

Industriel

Slutprodukter:

Notebook/stationær computer/spilkonsol

Telekommunikation/server

LCD-/LED-TV'er

LED-belysning/forkobling

Adapter

onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, FCP

Relaterede links