onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 510 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23

RS-varenummer:: 178-7608
Producentens varenummer:: NDC7001C
Brand:: onsemi

onsemi 2 Type P, Type N-Kanal Isoleret, Effekt MOSFET, 510 mA 60 V Forbedring, 6 Ben, SOT-23

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.468,00

(ekskl. moms)

Kr. 4.335,00

(inkl. moms)

Tilføj 3000 enheder for at opnå gratis levering

Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 06. juli 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
3000 +	Kr. 1,156	Kr. 3.468,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 178-7608
Producentens varenummer:: NDC7001C
Brand:: onsemi

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	onsemi
	Kanaltype	Type P, Type N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	510mA
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SOT-23
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	6
	Drain source modstand maks. Rds	10Ω
	Kanalform	Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	1.1nC
	Effektafsættelse maks. Pd	960mW
	Portkildespænding maks.	20 V
	Gennemgangsspænding Vf	0.8V
	Min. driftstemperatur	150°C
	Driftstemperatur maks.	-55°C
	Transistorkonfiguration	Isoleret
	Længde	3mm
	Bredde	1.7 mm
	Standarder/godkendelser	No
	Højde	1mm
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand onsemi
	Kanaltype Type P, Type N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 510mA
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SOT-23
	Monteringstype Overflade
	Benantal 6
	Drain source modstand maks. Rds 10Ω
	Kanalform Forbedring
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.1nC
	Effektafsættelse maks. Pd 960mW
	Portkildespænding maks. 20 V
	Gennemgangsspænding Vf 0.8V
	Min. driftstemperatur 150°C
	Driftstemperatur maks. -55°C
	Transistorkonfiguration Isoleret
	Længde 3mm
	Bredde 1.7 mm
	Standarder/godkendelser No
	Højde 1mm
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

NDC7001C, Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET)

NDC7001C er en dobbelt N- og P-kanal MOSFET, der er udstyret med ON Semi's DMOS-teknologi. DMO'er sikrer hurtig omskiftning, pålidelighed og tilstandsmodstand. Disse MOSFET'er er en SOT-23-pakketype med 6 ben.

Egenskaber og fordele:

• DMOS teknologi

• Høj mætningsstrøm

• Celledesign med høj tæthed

• Kobberblyramme giver fremragende termiske og elektriske egenskaber

NDC7001C MOSFET'er er ideelle til:

• Lav spænding

• Lav strøm

• Skift

• Strømforsyninger

Optimeret tilstand Dobbelt MOSFET, Fairchild Semiconductor

Felteffekttransistorer med optimeret tilstand er fremstillet med brug af Fairchilds egenudviklede DMOS teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er designet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.

På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.