onsemi N-Kanal, MOSFET, 7,2 A 30 V, 3 ben, SOT-223, NDT451AN NDT451AN

Felteffekttransistorer (FET) med optimeret tilstand er fremstillet ved hjælp af Fairchilds egenudviklede DMOS-teknologi med stor celletæthed. Denne proces med stor tæthed, der er udviklet med henblik på at minimere modstand i ledetilstand, giver en robust og pålidelig ydeevne og hurtigt skift.

on Semiconductor ND451AN er Power SOT N-kanal-forbedringstilstand effektfelteffekttransistorer produceres ved hjælp af DMC-teknologi med høj celletæthed. Denne proces med meget høj tæthed er specielt skræddersyet til at minimere modstand i tilstanden og give overlegen skifteevne.

Høj effekt- og strømhåndtering i et almindeligt anvendt overflademonteret hus

MOSFET transistorer, PÅ Semi

På Semi tilbyder en omfattende portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (> 250 V) og lavspændingstyper (< 250 V). Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
På Semi MOSFET'er giver overlegen pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og overspænding til lavere samledskapacitet og omvendt gendannelsesladning til eliminering af yderligere eksterne komponenter, så systemerne kan holde sig kørende længere.