Vishay N-Kanal, MOSFET, 3.5 A 8 V Forbedring, 4 Ben, Microfoot, SI8802DB
- RS-varenummer:
- 180-7724P
- Producentens varenummer:
- SI8802DB-T2-E1
- Brand:
- Vishay
Indhold 25 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 67,77
(ekskl. moms)
Kr. 84,73
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 150 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 25 + | Kr. 2,711 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7724P
- Producentens varenummer:
- SI8802DB-T2-E1
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 8V | |
| Serie | SI8802DB | |
| Emballagetype | Microfoot | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 54mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 5V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 4.3nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 0.6W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 0.8mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 0.8mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 8V | ||
Serie SI8802DB | ||
Emballagetype Microfoot | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 54mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 5V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 4.3nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 0.6W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 0.8mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 0.8mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SI8802DB seriens MOSFET, 3,5 A maksimal kontinuerlig drain-strøm, 8 V maksimal drain-kildespænding - SI8802DB-T2-E1
Denne n-kanal-forbedrings-MOSFET er designet til lavspændingskoblings- og strømstyringsopgaver i kompakte overflademonterede enheder. Den fungerer over et bredt temperaturområde og er velegnet til konstruktioner, der kræver et lille fodaftryk og moderat kontinuerlig strømkapacitet. Enheden er i overensstemmelse med RoHS-kravene og leveres i en meget kompakt mikropakke til kortlayouter med høj tæthed.
Egenskaber og fordele:
• 54 mΩ modstand ved tænding reducerer ledningstab og varmeudvikling
• 8 V drain-source mærkeværdi muliggør lavspændingstrin
• 3,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 4.3 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 0.6 W maks. effekttab begrænser termisk belastning under belastning
• Driftstemperaturområde fra -55 °C til 150 °C sikrer bred termisk tolerance
• 8 V drain-source mærkeværdi muliggør lavspændingstrin
• 3,5 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 4.3 nC typisk gate-ladning muliggør hurtigere skifteovergange
• 0.6 W maks. effekttab begrænser termisk belastning under belastning
• Driftstemperaturområde fra -55 °C til 150 °C sikrer bred termisk tolerance
Anvendelser
• Velegnet til batteridrevet lavspændings DC-strømkobling
• Ideel til kompakte strømstyringsmoduler på små printkort
• Anvendes sammen med motor-driver-trin, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til omskiftning af strømskinne til bærbare enheder
• Anvendes til belastningsswitching i tætte overflademonterede enheder
• Ideel til kompakte strømstyringsmoduler på små printkort
• Anvendes sammen med motor-driver-trin, der kræver hurtig omskiftning
• Kan bruges til omskiftning af strømskinne til bærbare enheder
• Anvendes til belastningsswitching i tætte overflademonterede enheder
Hvilket antal ben og monteringstype bruger den?
Den leveres som en 4-benet enhed beregnet til overflademontering i en mikro-footprint-pakke.
Hvordan begrænser dens termiske ydeevne printkortdesign?
Med en maksimal dissipation på 0,6 W og en lille pakke anbefales et tilstrækkeligt kobberareal eller termiske ledninger for at sprede varme og forhindre lokaliseret temperaturstigning.
Hvilke overvejelser om gating anbefales for hurtig omskiftning?
Den typiske gate-ladning på 4,3 nC ved den specificerede gate-spænding kræver drivertrin, der er i stand til at forsyne og sænke tilstrækkelig strøm for at opnå de ønskede kanthastigheder.
Hvilke spændingsgrænser skal overholdes for sikker drift?
Enheden må ikke overstige en 8 V drain-kilde-differential og en 5 V gate-kilde-amplitude for at forblive inden for de angivne elektriske grænser.