Vishay P-Kanal, MOSFET, 3,5 A 30 V, 3 ben, SOT-23, TrenchFET SI2307CDS-T1-GE3

Vishay overflademonteret dobbelt P-kanal MOSFET er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 30 V og en maksimal gate-kildespænding på 20 V. Den har en drænkildemodstand på 88 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,5 A og en maksimal nominel effekt på 1,8 W. Den minimale og maksimale driftsspænding for denne transistor er hhv. 4,5 V og 10 V. Den kan anvendes i belastningsafbrydere til bærbare enheder. MOSFET er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007