Vishay 2 Type P-Kanal Dobbelt Plus integreret Schottky, MOSFET, 4.5 A 30 V, 6 Ben, PowerPAK SC-70-6L
- RS-varenummer:
- 180-7827P
- Producentens varenummer:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 250 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 995,50
(ekskl. moms)
Kr. 1.244,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. oktober 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 250 - 600 | Kr. 3,982 |
| 625 - 1225 | Kr. 3,004 |
| 1250 - 2475 | Kr. 2,402 |
| 2500 + | Kr. 1,828 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7827P
- Producentens varenummer:
- SIA817EDJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAK SC-70-6L | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.065Ω | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 6.5W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.56V | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 6.6nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt Plus integreret Schottky | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 2.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 2.05mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAK SC-70-6L | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.065Ω | ||
Effektafsættelse maks. Pd 6.5W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.56V | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6.6nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt Plus integreret Schottky | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 2.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 2.05mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SIA817EDJ er en P-kanal MOSFET med schottky-diode, der har afløbet til kildespænding (VdS) på -30V. Den har konfiguration af dobbelt plus integreret schottky. Gate til kildespænding (VGS) er 12 V. Den har Power PAK SC-70-hus. Den har modstandsdygtighed over for dræn til kilde (RDS.) 0,065 ohm ved 10 VGS og 0,08 ohm ved 4,5 VGS. Maks. drænstrøm - 4,5A.
Lille fod plus Schottky power MOSFET
Termisk forbedret Power PAK SC-70 hus lille flademål med lav modstand tynd 0.75 mm profil
Typisk ESD-beskyttelse (MOSFET): 1500 V (HBM)