Vishay 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 3.9 A 20 V Forbedring, 6 Ben, TSOP, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 180-7911P
- Producentens varenummer:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold 20 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 67,84
(ekskl. moms)
Kr. 84,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.620 enhed(er) afsendes fra 21. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 + | Kr. 3,392 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7911P
- Producentens varenummer:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | TSOP | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.2nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.4W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.65mm | |
| Højde | 1mm | |
| Længde | 3.05mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype TSOP | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.2nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.4W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.65mm | ||
Højde 1mm | ||
Længde 3.05mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V. MOSFET'en har en drænkildemodstand på 58 Mohm ved en gate-source-spænding på 4,5 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 3,9 A og 2,1 A. Den har en maksimal nominel effekt på 1,4 W og 1,3 W. Den er blevet optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• DC/DC-konvertere
• Drivere: Motor, magnetventil, relæ
• belastningsafbryder til bærbare enheder
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• RG-testet