MPN

Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

RS-varenummer:: 180-8097P
Producentens varenummer:: SI4559ADY-T1-E3
Brand:: Vishay

Vishay 2 Type P, Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 5.3 A 60 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 85,27

(ekskl. moms)

Kr. 106,59

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Restlager hos RS

Sidste 1.500 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder	Per stk.
5 +	Kr. 17,054

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-8097P
Producentens varenummer:: SI4559ADY-T1-E3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P, Type N
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	5.3A
	Drain source spænding maks. Vds	60V
	Emballagetype	SO-8
	Serie	TrenchFET
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	8
	Drain source modstand maks. Rds	0.58Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	3.4W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	6nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Transistorkonfiguration	Dobbelt
	Længde	5mm
	Højde	1.75mm
	Standarder/godkendelser	IEC 61249-2-21
	Antal elementer per chip	2
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P, Type N
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 5.3A
	Drain source spænding maks. Vds 60V
	Emballagetype SO-8
	Serie TrenchFET
	Monteringstype Overflade
	Benantal 8
	Drain source modstand maks. Rds 0.58Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 3.4W
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 6nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Transistorkonfiguration Dobbelt
	Længde 5mm
	Højde 1.75mm
	Standarder/godkendelser IEC 61249-2-21
	Antal elementer per chip 2
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET

Vishay overflademonteret 2-kanals MOSFET (både P- og N-kanaler) er et nyt produkt med en drænkildemodstand på 58 Mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har en drænkildespænding på 60 V. Den har kontinuerlig drænstrøm på 5,3 A og 3,9 A. Den har en maksimal nominel effekt på 3,4 W. Den er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet. Den kan anvendes i CCFL-invertere.

Egenskaber og fordele

• Halogenfri

• blyfri (Pb)

Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.

• TrenchFET Power MOSFET

Certifikater

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• RG-testet

• UIS-testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.