Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt, Effekt MOSFET, 6.2 A 600 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB
- RS-varenummer:
- 180-8315
- Producentens varenummer:
- IRFBC40APBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 355,70
(ekskl. moms)
Kr. 444,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 600 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 7,114 | Kr. 355,70 |
| 100 - 200 | Kr. 6,758 | Kr. 337,90 |
| 250 + | Kr. 6,402 | Kr. 320,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-8315
- Producentens varenummer:
- IRFBC40APBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6.2A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Højde | 6.71mm | |
| Bredde | 10.52 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 14.4mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6.2A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Højde 6.71mm | ||
Bredde 10.52 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 14.4mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er et N-kanal TO-220-3-hus, der er et nyt produkt med en drænkildespænding på 600 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har en drænkildemodstand på 1,20 Mohm ved en portkildespænding på 10 V. MOSFET har et maksimalt effekttab på 125 W. Produktet er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• effektiv uss specificeret
• fuldt karakteriseret kapacitans og lavine spænding og strøm
• forbedret gate, lavine og dynamisk DV/dt
• blyfri (Pb) komponent
• lav gate-opladning QG resulterer i et enkelt drevkrav
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
Anvendelsesområder
• Højhastighedsomskiftning
• strømforsyning til switch-mode (SMPS)
• nødstrømsforsyninger
Relaterede links
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 6.2 A 600 V JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay Type N-Kanal Enkelt 5.2 A 200 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 16 A 500 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 50 A 60 V, JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 15 A 50 V JEDEC TO-220AB
- Vishay 1 Type N-Kanal Enkelt 26 A 500 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt 18 A 50 V, JEDEC TO-220AB