Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 1.8 A 400 V, 3 Ben, TO-252

RS-varenummer:: 180-8348
Producentens varenummer:: IRFR9310PBF
Brand:: Vishay

Vishay 1 Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 1.8 A 400 V, 3 Ben, TO-252

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 520,43

(ekskl. moms)

Kr. 650,55

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

På lager

900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rør*
75 +	Kr. 6,939	Kr. 520,43

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 180-8348
Producentens varenummer:: IRFR9310PBF
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	1.8A
	Drain source spænding maks. Vds	400V
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade, Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	7Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	13nC
	Effektafsættelse maks. Pd	50W
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Portkildespænding maks.	20V
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS-compliant
	Længde	9.65mm
	Antal elementer per chip	1
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.8A
	Drain source spænding maks. Vds 400V
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade, Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 7Ω
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 13nC
	Effektafsættelse maks. Pd 50W
	Min. driftstemperatur -55°C
	Portkildespænding maks. 20V
	Transistorkonfiguration Enkelt
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Standarder/godkendelser RoHS-compliant
	Længde 9.65mm
	Antal elementer per chip 1
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet

COO (Country of Origin):: CN

Vishay MOSFET, 400 V drain source spænding, 50 W effekttab - IRFR9310PBF

Denne MOSFET er en P-kanal-transistor, der er designet til højspændingsswitching i strøm-elektroniske kredsløb. Den leveres i en TO-252-pakke og er velegnet til overflademontering eller montering med gennemgående huller, hvilket giver en kompakt løsning, hvor en P-type enhed er nødvendig til højspændingsanvendelser. Enheden fungerer over et bredt temperaturområde og opfylder RoHS-miljøstandarder.

Egenskaber og fordele:

• 400 V drain-til-kilde-spænding for højspændingskontaktfunktion
• 7 Ω maksimal Rds for at begrænse ledningstab i lavstrømsdesign
• 13 nC typisk gate-opladning til hurtige gate-drive-overgange
• 1,8 A kontinuerlig afløbsstrøm til moderate strømkrav
• 50 W maks. effekttab for termisk hovedrum i effekttrin
• -55 til 150 °C driftsområde til anvendelse ved høje temperaturer

Anvendelser

• Velegnet til højspændingspolaritetsbeskyttelseskredsløb
• Ideel til P-kanal-high-side-switching i strømforsyninger
• Anvendes sammen med gate-drivere, der kræver enheder med lav gate-ladning
• Kan bruges til industriel styreelektronik, der kører varmt
• Velegnet til blandede monteringskort, der kombinerer overflademonterede og gennemgående hulkomponenter

Hvilke monteringsmuligheder er tilgængelige til montering på printkort?

Enheden understøtter både overflademonterings- og hulmonteringsmetoder for at passe til forskellige kortmonteringspraksiser.

Hvordan fungerer enheden ved høje omgivelsestemperaturer?

Den er normeret til drift op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i konstruktioner, der er udsat for høj termisk belastning, når der anvendes passende termisk styring.

Hvad er grænserne for gate-drive-spænding, der skal overvejes under designet?

Den maksimale gate-til-kilde-spænding er ±20 V, så gate-drive-kredsløb skal begrænse svingninger inden for dette område.

Er denne enhed sammensat af flere elementer på en enkelt chip?

Der er et enkelt transistorelement pr. chip, hvilket forenkler hensyn til strømdeling i parallelle arrangementer.