onsemi N-Kanal, MOSFET, 128 A 100 V, 3 ben, TO-220 FDP4D5N10C

Denne N-kanal MV MOSFET er produceret med ON Semiconductor's advancerede PowerTrench® proces, der omfatter skærmet gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til at minimere modstand i ledetilstand og alligevel bevare uovertruffen switching-ydelse med en best-in-class blød husdiode

Maks. RDS (ON) = 4,5 mΩ ved VGS = 10 V, ID = 128 A
Effekttæthed Og Skærmet Gate, Effekttæthed Og Skærmet Gate, Høj Effektivitet/Høj Ydeevne
Højtydende rench-teknologi til Ekstremt lav RDS (til)
Høj effekttæthed med skærmet gate-teknologi
Ekstremt Lav Returladning, Qrr
Lav Vds spids intern snubber-funktion.
Lav gate-Opladning, QG = 48 nC (typ.)
Tabsfattigt skift
Høj Effekt- Og Strømhåndtering
Lav Qrr/Trr
Blød gendannelse
Synkron ensretning til ATX/Server/arbejdsstation/Telecom PSU/adapter og industrielle strømforsyninger.
Motordrev og nødstrømsforsyninger
Micro Solar Inverter
Server
Telekommunikation
Databehandling (Atx, Arbejdsstation, Adapter, Industrielle Strømforsyninger Osv.)
Motordrev
Nødstrømsforsyninger
Solcelleinverter