DiodesZetex 2 Type N, Type P-Kanal Dobbelt, MOSFET, 4.6 A 30 V Forbedring, 6 Ben, TSOT
- RS-varenummer:
- 182-7079P
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 200 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 192,40
(ekskl. moms)
Kr. 240,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 100 enhed(er) afsendes fra 26. oktober 2026
- Plus 3.000 enhed(er) afsendes fra 14. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 200 - 400 | Kr. 0,962 |
| 500 - 900 | Kr. 0,771 |
| 1000 - 1900 | Kr. 0,699 |
| 2000 + | Kr. 0,642 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7079P
- Producentens varenummer:
- DMC3071LVT-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N, Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | TSOT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 140mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.1W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.1nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 800mV | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Længde | 3mm | |
| Højde | 900μm | |
| Bredde | 1.7mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N, Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype TSOT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 140mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.1W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.1nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 800mV | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Længde 3mm | ||
Højde 900μm | ||
Bredde 1.7mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(on)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Lav aktiv modstand
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Lav Indgangs-/Udgangslækage
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" enhed
Anvendelsesområder
Baggrundsbelysning
DC/DC-konvertere
Power Management-Funktioner