DiodesZetex N-Kanal, MOSFET, 1 A 20 V Forbedring, 3 Ben, X2-DFN, DMN AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 182-7146P
- Producentens varenummer:
- DMN2450UFB4-7R
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 500 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 260,50
(ekskl. moms)
Kr. 325,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 10. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 500 - 750 | Kr. 0,521 |
| 1000 - 1250 | Kr. 0,456 |
| 1500 - 1750 | Kr. 0,405 |
| 2000 + | Kr. 0,364 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 182-7146P
- Producentens varenummer:
- DMN2450UFB4-7R
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | X2-DFN | |
| Serie | DMN | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 700mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 900mW | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.3nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 350μm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 650μm | |
| Længde | 1.05mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype X2-DFN | ||
Serie DMN | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 700mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 900mW | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.3nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 350μm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 650μm | ||
Længde 1.05mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne nye generation af MOSFET er designet til at minimere den aktuelle modstand (RDS(ON)) og alligevel opretholde en overlegen skifteevne, hvilket gør den ideel til højeffektive strømstyringsapplikationer.
Bundareal på kun 0,6 mm2
– 13 Gange Mindre end SOT23
0,4 mm profil – Ideel til lavprofils anvendelser
Lav gate-tærskelspænding
Hurtig koblingshastighed
ESD-beskyttet låge
Helt Blyfri
Halogen- og antimonfri. "Grøn" Enhed.
Anvendelsesområder
Belastningsomskifter