onsemi N-Kanal, MOSFET, 915 mA 20 V Forbedring, 3 Ben, SC-89, NTE AEC-Q101

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 500 enheder (leveres på en rulle)*

Kr. 284,50

(ekskl. moms)

Kr. 355,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 4.800 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
500 - 900Kr. 0,569
1000 +Kr. 0,493

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
184-1203P
Producentens varenummer:
NTE4153NT1G
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

915mA

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

NTE

Emballagetype

SC-89

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

950mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.82nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

300mW

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Portkildespænding maks.

6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

950μm

Højde

800μm

Længde

1.7mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Lille signal MOSFET 20 V 915 mA 230 mOhm enkelt N-kanal SC-89 med ESD-beskyttelse

Lav RDS(on) Forbedrer systemets Effektivitet

Lavspænding, 1,5 V Mærkespænding

ESD-beskyttet låge

Anvendelsesområder:

Belastnings-/Strømkontakter

Strømforsynings-konverterkredsløb

Batteristyring

Bærbare enheder som mobiltelefoner, PDA'er, digitalkameraer, personsøgere osv.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.