onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 14 A 60 V Forbedring, 8 Ben, WDFN, NVTFS5116PL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 184-1458P
- Producentens varenummer:
- NVTFS5116PLTAG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 535,60
(ekskl. moms)
Kr. 669,50
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 1.520 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Plus 1.500 enhed(er) afsendes fra 25. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 5,356 |
| 250 - 490 | Kr. 4,638 |
| 500 - 990 | Kr. 4,077 |
| 1000 + | Kr. 3,718 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 184-1458P
- Producentens varenummer:
- NVTFS5116PLTAG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | WDFN | |
| Serie | NVTFS5116PL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 72mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 21W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 800μm | |
| Bredde | 3.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype WDFN | ||
Serie NVTFS5116PL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 72mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 21W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 800μm | ||
Bredde 3.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Bilstrøm MOSFET i et 3 x 3 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion.
Lille sokkel (3,3 x 3,3 mm)
Lav aktiv modstand
Lav kapacitet
Nvtfs5116plwf − Kan Fugtes Med Flanker Produkt
Kompakt design
Minimere konduktive tab
Minimer drivertab
Forbedret optisk inspektion
Velegnet til brug i biler
Anvendelsesområder:
Kontakt til bilbelastning
Motordrev
DC-DC-kontaktudgang