onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 67 A 60 V Forbedring, 5 Ben, DFN, NVMFS5H663NL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 185-8153
- Producentens varenummer:
- NVMFS5H663NLT1G
- Brand:
- onsemi
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
- RS-varenummer:
- 185-8153
- Producentens varenummer:
- NVMFS5H663NLT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 67A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NVMFS5H663NL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 5 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 63W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.05mm | |
| Længde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 67A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NVMFS5H663NL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 5 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 63W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.05mm | ||
Længde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
- COO (Country of Origin):
- MY
Bilstrøm MOSFET i et 5 x 6 mm fladt blyhus, der er beregnet til kompakte og effektive design og herunder høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.
Lille fysisk størrelse (5x6 mm) til kompakt design
Lav RDS(on) for at minimere ledningstab
Lav QG og kapacitet for at minimere drivertab
PPAP-kapacitet
Disse enheder er blyfrie
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 67 A 60 V Forbedring DFN, NVMFS5H663NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 477 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring DFN AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring DFN, NVMFS5C673NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 71 A 60 V Forbedring DFN, NVMFS5C670NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 21 A 60 V Forbedring DFN, NVMFS5C680NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 133 A 60 V Forbedring DFN, NVMFS5C638NL AEC-Q101
- onsemi Type N-Kanal 287 A 60 V Forbedring DFN, NVMFS5C604NL AEC-Q101