onsemi N-Kanal, MOSFET, 553.8 A 40 V Forbedring, 8 Ben, DFN, NVMTS0D4N04CL AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 186-1334
- Producentens varenummer:
- NVMTS0D4N04CLTXG
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 171,29
(ekskl. moms)
Kr. 214,11
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 2.432 enhed(er) afsendes fra 02. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 85,645 | Kr. 171,29 |
| 20 - 198 | Kr. 73,79 | Kr. 147,58 |
| 200 + | Kr. 63,955 | Kr. 127,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1334
- Producentens varenummer:
- NVMTS0D4N04CLTXG
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 553.8A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | DFN | |
| Serie | NVMTS0D4N04CL | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 640μΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 163nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 244W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 8mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 8.1mm | |
| Højde | 1.15mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 553.8A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype DFN | ||
Serie NVMTS0D4N04CL | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 640μΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 163nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 244W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 8mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 8.1mm | ||
Højde 1.15mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
Automotive Power MOSFET i et 8 x 8 mm fladt blyhus, der er designet til kompakt og effektivt design og med høj termisk ydelse. Hæftbar flanke fås som ekstraudstyr til forbedret optisk inspektion. MOSFET- og PPAP-kapacitet er velegnet til brug i biler.
Lille sokkel (8x8 mm)
Lav RDS(on)
Lav QG og kapacitet
Vanddispergerbar flanke (ekstraudstyr)
PPAP-kapacitet
Kompakt design
Minimere konduktive tab
Minimer drivertab
Forbedret optisk inspektion
Anvendelsesområder
Beskyttelse mod omvendt batteritilslutning
Switch-mode strømforsyninger
Strømkontakter (højside driver, lavside driver, H-broer osv.)
Slutprodukter
Motorstyring – Eps, Vinduesviskere, Ventilatorer, Sæder Osv.
Belastningskontakt – Ecu, Chassis, Karrosseri