onsemi N-Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 186-1497P
- Producentens varenummer:
- NVHL027N65S3F
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 10 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 1.341,90
(ekskl. moms)
Kr. 1.677,40
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. maj 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 10 - 99 | Kr. 134,19 |
| 100 + | Kr. 116,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1497P
- Producentens varenummer:
- NVHL027N65S3F
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 75A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 27.4mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 227nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 595W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.82mm | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bredde | 4.82mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 75A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 27.4mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 227nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 595W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.82mm | ||
Længde 15.87mm | ||
Bredde 4.82mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede omvendte genopretningsevne for husdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V VED TJ = 150 °C.
Meget lav portopladning (typ. Qg = 259 nC)
Lavt effektivt udgangskapacitet (typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
PPAP-kapacitet
Typ. RDS(on) = 27,4 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
PPAP-kapacitet
Anvendelsesområder
HV DC/DC-KONVERTER
Slutprodukter
Indbygget Oplader
DC/DC konverter