onsemi N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-263
- RS-varenummer:
- 186-1500P
- Producentens varenummer:
- NTB110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 789,10
(ekskl. moms)
Kr. 986,38
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 198 | Kr. 39,455 |
| 200 + | Kr. 34,185 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-1500P
- Producentens varenummer:
- NTB110N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 30A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 62nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 9.65mm | |
| Længde | 10.67mm | |
| Højde | 4.58mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 30A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 62nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 9.65mm | ||
Længde 10.67mm | ||
Højde 4.58mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Ikke i overensstemmelse med RoHS
SuperFET® III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændings Super-Junction (SJ) MOSFET-serie, der benytter ladebalance-teknologi for fremragende lav modstand ved tændt og lavere portopladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. Derfor er SUPERFET III MOSFET meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede omvendte genopretningsevne for husdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Ultralav Gateopladning (Typ. QG = 62 bryde)
Lav Effektiv Udgangskapacitet (Typ. USS (eff.) = 522 pF)
Fremragende ydeevne for husdiode (lav Qrr, robust husdiode)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Telekommunikation
Cloud-system
Industriel
Slutprodukter
Telekommunikations-strøm
Serverstrøm
Elbil-lader
Solcelle/UPS (nødstrømsforsyning)