onsemi Type P-Kanal, MOSFET, 1.3 A 20 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 186-7202
- Producentens varenummer:
- NTR1P02LT1G
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 1.695,00
(ekskl. moms)
Kr. 2.118,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 24. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | Kr. 0,565 | Kr. 1.695,00 |
| 6000 - 9000 | Kr. 0,55 | Kr. 1.650,00 |
| 12000 - 15000 | Kr. 0,536 | Kr. 1.608,00 |
| 18000 - 21000 | Kr. 0,522 | Kr. 1.566,00 |
| 24000 + | Kr. 0,509 | Kr. 1.527,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-7202
- Producentens varenummer:
- NTR1P02LT1G
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 1.3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 3.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 400mW | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1V | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.4mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 1.01mm | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 1.3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 3.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 400mW | ||
Gennemgangsspænding Vf 1V | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.4mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 1.01mm | ||
Længde 3.04mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Disse miniature MOSFET'er til overflademontering med lav RDS(on) sikrer minimalt strømtab og sparer energi, hvilket gør disse enheder ideelle til brug i kredsløb til pladefølsom strømstyring. Typiske anvendelser for disse P-kanal Mosfet'er Til Mindre signaler er dc-dc-konvertere og strømstyring i bærbare og batteridrevne produkter som f.eks. computere, printere, PCMCIA-kort, mobile og trådløse telefoner.
Lav RDS(on) Giver Højere Effektivitet og Forlænger batterilevetiden
Miniature Sot-23 Hus Til Overflademontering Sparer Plads På Kortet
Slutprodukter
Computere
Printere
PCMCIA-kort
Mobiltelefoner Og Trådløse Telefoner
Anvendelsesområder
DC/DC-konvertere
Strømstyring I Bærbare Og Batteridrevne Produkter