onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt, MOSFET, 117 A 150 V, 3 Ben, TO-220, FDP083N15A
- RS-varenummer:
- 186-7388
- Producentens varenummer:
- FDP083N15A-F102
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 817,30
(ekskl. moms)
Kr. 1.021,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 250 enhed(er) afsendes fra 25. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 16,346 | Kr. 817,30 |
| 100 - 200 | Kr. 15,851 | Kr. 792,55 |
| 250 - 350 | Kr. 15,434 | Kr. 771,70 |
| 400 - 450 | Kr. 15,038 | Kr. 751,90 |
| 500 + | Kr. 14,663 | Kr. 733,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 186-7388
- Producentens varenummer:
- FDP083N15A-F102
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 117A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | FDP083N15A | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.3mΩ | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 30 V dc | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 294W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.25V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 64.5nC | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS Compliant | |
| Længde | 10.36mm | |
| Højde | 8.78mm | |
| Bredde | 4.67 mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 117A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie FDP083N15A | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.3mΩ | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 30 V dc | ||
Effektafsættelse maks. Pd 294W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.25V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 64.5nC | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS Compliant | ||
Længde 10.36mm | ||
Højde 8.78mm | ||
Bredde 4.67 mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Denne N-kanal MOSFET er fremstillet ved hjælp af en Advanced PowerTrench ® proces, der er skræddersyet til at minimere modstanden i tilstanden, mens den overlegne skifteevne opretholdes.
RDS(on) = 6,85 mΩ (Typ.) ved VGS = 10 V, ID = 75 A.
Hurtig koblingshastighed
Lav Gateopladning, QG = 64,5nC (typ.)
Højtydende rench-teknologi til Ekstremt lav RDS (til)
Høj Effekt- Og Strømhåndtering
Anvendelsesområder
AC-DC Merchant-strømforsyning - servere og arbejdsstationer
AC-DC Merchant strømforsyning - stationær pc
Nødstrømsforsyning
Nødstrømsforsyning
Anden Databehandling
Synkron ensretning til ATX/Server/Telecom PSU
Batteribeskyttelseskredsløb
Motorstyringer
Nødstrømsforsyninger
Micro Solar Invertere
Relaterede links
- onsemi 1 Type N-Kanal Enkelt 117 A 150 V TO-220, FDP083N15A
- onsemi 3 Ben Hulmontering
- onsemi Type N-Kanal 139 A 150 V N TO-220, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 101 A 150 V Forbedring TO-220, NTP
- onsemi Type N-Kanal 74.3 A 150 V Forbedring TO-220, NTP
- onsemi Type N-Kanal 5 A 150 V Forbedring TO-220, PowerTrench
- onsemi Type N-Kanal 15 A 150 V Forbedring TO-220, PowerTrench
- onsemi N-Kanal 117 A 30 V DPAK (TO-252) NTD4804NT4G