Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 17.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, E
- RS-varenummer:
- 188-4989P
- Producentens varenummer:
- SIHG21N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 682,20
(ekskl. moms)
Kr. 852,80
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 44 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 34,11 |
| 50 - 98 | Kr. 32,275 |
| 100 - 198 | Kr. 30,33 |
| 200 + | Kr. 28,46 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4989P
- Producentens varenummer:
- SIHG21N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 17.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 235mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 20.82mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.87mm | |
| Bredde | 5.31mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 17.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie E | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 235mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 20.82mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.87mm | ||
Bredde 5.31mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay serie E Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 17,4 A kontinuerlig drain strøm - SIHG21N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings, N-kanals koblingsenhed, der er designet til industrielle miljøer og strømkonverteringsmiljøer. Den fungerer som en forstærkningstransistor, der er i stand til at håndtere betydelige spændinger og strømme, mens den monteres gennem hul i et TO-247AC-hus. Enheden er velegnet til systemer, der kræver robust halvlederkobling over et bredt omgivende temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-klassificering muliggør højspændingskontaktkapacitet
• 17,4 A kontinuerlig afløb understøtter betydelig belastningsstrøm
• 235 mΩ Rds(on) giver reducerede ledningstab
• 179 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 48 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig koblingsenergi
• 30 V portklassificering muliggør almindelige portdrevspændinger
• 17,4 A kontinuerlig afløb understøtter betydelig belastningsstrøm
• 235 mΩ Rds(on) giver reducerede ledningstab
• 179 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 48 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig koblingsenergi
• 30 V portklassificering muliggør almindelige portdrevspændinger
Anvendelser
• Velegnet til industrielle højspændingsstrømforsyninger
• Ideel til inverter- og motordrevskifttrin
• Anvendes sammen med hard-switching-topologier i strømomformere
• Kan bruges til klasse D-lydforstærkere, der kræver høj spænding
• Velegnet til energi- og vedvarende strøm-elektronik
• Ideel til inverter- og motordrevskifttrin
• Anvendes sammen med hard-switching-topologier i strømomformere
• Kan bruges til klasse D-lydforstærkere, der kræver høj spænding
• Velegnet til energi- og vedvarende strøm-elektronik
Hvilket gate-drive-spændingsområde kan jeg bruge sikkert?
Enheden accepterer en maksimal gate-til-kilde-spænding på 30 V, så gate-drive-kredsløb skal konstrueres til at forblive inden for denne grænse for at undgå gate-belastning.
Hvordan fungerer den ved ekstreme temperaturer?
Transistoren er mærket til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i industrielle installationer med høje temperaturer med passende termisk styring.
Hvilke monteringsovervejelser gælder for printkortdesign?
Den leveres i en TO-247AC-pakke med gennemgående hul, så kortlayout'er skal omfatte passende hulafstand og varmeafledende bestemmelser til pakkens bundareal.
Hvilken skifteadfærd skal jeg forvente fra portens egenskaber?
Med en typisk samlet gate-ladning på 48 nC kan designere vurdere koblingsenergi og vælge gate-drivere, der balancerer koblingshastighed og EMI for deres topologi.