Vishay N-Kanal, MOSFET, 19 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, SiHG22N60EF
- RS-varenummer:
- 188-4992P
- Producentens varenummer:
- SIHG22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Få rabat ved storkøb
Tilføj 50 flere for at gemme 5%
Se mængderabatterIndhold 20 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 727,10
(ekskl. moms)
Kr. 908,88
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 444 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 20 - 48 | Kr. 36,355 | - |
| 50 - 98 | Kr. 34,335 | 5% |
| 100 - 198 | Kr. 32,275 | 11% |
| 200 + | Kr. 30,965 | 14% |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-4992P
- Producentens varenummer:
- SIHG22N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 19A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Serie | SiHG22N60EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 182mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 48nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.87mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Højde | 20.82mm | |
| Bredde | 5.31mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 19A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Serie SiHG22N60EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 182mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 48nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.87mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Højde 20.82mm | ||
Bredde 5.31mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
EF-serien Power MOSFET med Fast Body Diode.
Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Lav indgangskapacitet (Ciss)
Færre skift og ledningstab
ANVENDELSER
Strømforsyninger til server og telekom
Switch-mode strømforsyning (SMPS)
Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)