Vishay 2 Type N-Kanal Fælles skærm, Effekt MOSFET, 60 A 25 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold 50 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 695,60

(ekskl. moms)

Kr. 869,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. september 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
50 - 120Kr. 13,912
125 - 245Kr. 11,414
250 - 495Kr. 9,514
500 +Kr. 7,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-4999P
Producentens varenummer:
SISF02DN-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Serie

TrenchFET Gen IV

Emballagetype

PowerPAK 1212

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

5mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

69.4W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

37nC

Transistorkonfiguration

Fælles skærm

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

3.4mm

Højde

0.75mm

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
Almindeligt dræn dobbelt N-kanal 25 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power-MOSFET

Meget lav kilde-til-kilde på modstand

Integrerede, fælles dræn n-channel MOSFET'er i en kompakt og termisk forbedret pakke

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.