Vishay 2 N-Kanal Fælles skærm, Effekt MOSFET, 52 A 60 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-varenummer:
- 188-5025P
- Producentens varenummer:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 914,10
(ekskl. moms)
Kr. 1.142,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. november 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 50 - 120 | Kr. 18,282 |
| 125 - 245 | Kr. 15,26 |
| 250 - 495 | Kr. 12,148 |
| 500 + | Kr. 10,202 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5025P
- Producentens varenummer:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 52A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69.4W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 22nC | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Fælles skærm | |
| Driftstemperatur maks. | +150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.4mm | |
| Højde | 0.75mm | |
| Længde | 3.4mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 52A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69.4W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 22nC | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Transistorkonfiguration Fælles skærm | ||
Driftstemperatur maks. +150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.4mm | ||
Højde 0.75mm | ||
Længde 3.4mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Fælles - Aftap dobbelt N-kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lav kilde-til-kilde på modstand
Integrerede, fælles dræn n-channel MOSFET'er i en kompakt og termisk forbedret pakke