Vishay 2 N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 850 mA 20 V Forbedring, 6 Ben, US, TrenchFET AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 188-5029P
- Producentens varenummer:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold 250 enheder (leveres på en rulle)*
Kr. 748,75
(ekskl. moms)
Kr. 936,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 250 - 600 | Kr. 2,995 |
| 625 - 1225 | Kr. 2,292 |
| 1250 - 2475 | Kr. 1,795 |
| 2500 + | Kr. 1,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5029P
- Producentens varenummer:
- SQ1922AEEH-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 850mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | US | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 530mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.9nC | |
| Portkildespænding maks. | 12V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 1.5W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.35mm | |
| Længde | 2.2mm | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 850mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype US | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 530mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.9nC | ||
Portkildespænding maks. 12V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 1.5W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.35mm | ||
Længde 2.2mm | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Auto Dual N-kanal 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.
TrenchFET® power MOSFET