Vishay N-Kanal, MOSFET, 45.1 A 80 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS126DN
- RS-varenummer:
- 188-5134P
- Producentens varenummer:
- SIS126DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Få rabat ved storkøb
Tilføj 250 flere for at gemme Kr. 446,75
Se mængderabatterIndhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 736,00
(ekskl. moms)
Kr. 920,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 7,36 | - |
| 250 - 490 | Kr. 5,573 | Kr. 446,75 |
| 500 - 990 | Kr. 5,034 | Kr. 1.163,00 |
| 1000 + | Kr. 4,653 | Kr. 2.707,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-5134P
- Producentens varenummer:
- SIS126DN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | SiS126DN | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 21.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 52W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.1V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.15mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 3.15mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie SiS126DN | ||
Emballagetype PowerPAK 1212 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 21.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 52W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.1V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.15mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 3.15mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-Channel 80 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV power-MOSFET
Meget lavt RDS x Qg-tal-of-merit (FOM)
Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM