STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 14.657,50

(ekskl. moms)

Kr. 18.322,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 5,863Kr. 14.657,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-8289
Producentens varenummer:
STD5N80K5
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.73Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

5nC

Portkildespænding maks.

30 V

Effektafsættelse maks. Pd

60W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.17mm

Længde

6.6mm

Bredde

6.2 mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne N-kanal Power MOSFET med meget høj spænding er designet med MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ lodret struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion i modstand og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver overlegen effekttæthed og høj effektivitet.

Branchens laveste RDS(on)x-område

Branchens bedste FOM (figur af fortjeneste)

Ultralav gate-opladning

Zener-beskyttet

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links