onsemi N-Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-220
- RS-varenummer:
- 189-0401P
- Producentens varenummer:
- NTPF190N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Indhold 5 enheder (leveres i et rør)*
Kr. 87,89
(ekskl. moms)
Kr. 109,86
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 735 enhed(er) afsendes fra 05. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 5 + | Kr. 17,578 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 189-0401P
- Producentens varenummer:
- NTPF190N65S3HF
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 36W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 34nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 10.63mm | |
| Højde | 16.12mm | |
| Bredde | 4.9mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 36W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 34nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 10.63mm | ||
Højde 16.12mm | ||
Bredde 4.9mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
SUPERFET III MOSFET er ON Semiconductors helt nye højspændingssuper-junction (SJ) MOSFET-serie, der anvender opladningsbalanceteknologi for at opnå enestående lav on-modstandskraft og lavere gate-opladningsydeevne. Denne avancerede teknologi er skræddersyet til at minimere ledningsevnetab, give fremragende skifteevne og modstå ekstrem dv/dt-hastighed. SUPERFET III MOSFET er derfor meget velegnet til de forskellige effektsystemer til miniaturisering og højere effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET's optimerede reverse recovery-ydelse på kropsdioden kan fjerne yderligere komponenter og forbedre systemets pålidelighed.
700 V ved TJ = 150 °C
Meget lav portopladning (typ. Qg = 35 nC)
Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 467 pF)
Lav effektiv udgangskondentans (Typ. USS(eff.) = 467 pF)
Optimeret kapacitet
Typ. RDS(on) = 161 mΩ
Højere pålidelighed ved drift ved lav temperatur
Lavere skiftetab
Lavere skiftetab
Højere systempålidelighed i LLC og helbro faseskiftende kredsløb
Lavere spids Vds og lavere Vgs svingninger
Anvendelsesområder
Databehandling
Forbruger
Industriel
Slutprodukter
Notebook/stationær computer/spilkonsol
Telekommunikation/server
LED-belysning/forkobling
Adapter