Wolfspeed N-Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V, 4 ben, TO-247-4 C3M0075120K

Wolfspeed udvider sin førerposition inden for SiC-teknologi ved at introducere Advanced SiC MOSFET-teknologi i ny diskret emballage med lav selvinduktion. De nyligt lancerede pakker giver ingeniører mulighed for at udnytte de højfrekvente egenskaber ved de nyeste C3MTM planar MOSFET-chips. Designere kan reducere antallet af komponenter ved at skifte fra silikonebaserede topologier med tre niveauer til mere enkle topologier med to niveauer, der er gjort mulige med den forbedrede skiftekapacitet. Denne enhed har lav modstand kombineret med en lav gate-opladning, hvilket gør den ideel til 3-fasede, brudsikre PFC-topologier samt AC-AC-konvertere og opladere.

Mindst 1200 V Vbr over hele driftstemperaturområdet
Nyt lavimpedans-hus med driverkilde
>8 mm krybeafstand/frigang mellem afløb og kilde
High-speed switching med lav udgangskapacitet
Høj blokeringsspænding med lav RDS(on)
Hurtig egensikker diode med lav omvendt genoprettelse (Qrr)
Nemt at forbinde parallelt og enkle at drive